Dans cette étude une simulation du transfert radiatif a été développée, ce qui nous a permis d’étudier la transmission du rayonnement à travers les couches qui précédent la cellule PV suivant certains paramètres pouvant l’altérer. de 0 à A la diode est polarisée dans le sens direct, mais la tension est tropfaible pour débloquer la jonction.C’est la zone de blocage direct. Des collecteurs récupère les porteurs de charge. C.à.d. jonction sur le Wiktionnaire Le mot jonction est employé dans plusieurs domaines : Jonction P - N Jonction tunnel Jonctions intercellulaires Jonction communicante Les jonctions communicantes, aussi appelées jonctions gap ou macula communicans ou nexus ou jonctions lacunaires ou encore jonctions perméables, sont des Les jonctions serrées ou étanches ou … fig. Figure I.8: Association de n s cellules PV en série 13. L’étude de l’influence des paramètres technologiques sur la caractéristique I V d’une photodiode PIN en Si Présentée et soutenue le 22 06 2016 par : Mme. Une étude approximative semble montrer que la diode se comporte comme un fil de résistance négligeable quand elle est passante et comme un interrupteur ouvert quand elle est bloquée. On a crée une jonction PN, qui est la limite de séparation entre les deux parties. Figure III.4 : caractéristique I-V sous éclairement . Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). l'interpénétration partielle, généralement par fusion entre surfaces, d'un semi-conducteur de type P avec un semi-conducteur de type N. Pour commencer,disons très schématiquement que la théorie des semiconducteurs et l'expérience prouvent. 5. En sens inverse, si la d.d.p. La dimension du collecteur favorise la collecte des électrons (d'où un meilleur rendement). Une étude approximative semble montrer que la diode se comporte comme un fil de résistance négligeable quand elle est passante et comme un interrupteur ouvert quand elle est bloquée. En sens inverse, si la d.d.p. Les caractéristiques Ib=f(Vbe) sont pratiquement celles d’une diode à jonction PN. Ce type de transistor à jonction prend aussi l'appellation de : transistor bipolaire. Dans le premier chapitre, on va présenter des généralités sur les cellules photovoltaïques, le principe de fonctionnement, les caractéristiques électriques d'une cellule et Minouprof / 21 janvier 2017. Pour les besoins de l’étude des semi-conducteurs et de la jonction PN, on va se suffire du modèle représenté par la figure 2. Un MOSFET de puissance est formé d'un grand nombre de cellules élémentaires mises en parallèle. l’étude élémentaire de la diode à vide dans le modèle cartésien qui aboutit à la loi de Child-Langmuir. Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région de A à B la diode commence à se débloquer, C’est la zone de coude. Figure I.1 : Schéma de principe de … La diode est un dipôle passif non linéaire, mais de caractéristique linéarisable par morceaux. La diode la pl us classique est la "diode à jonction PN", qui sera l'objet des sections 5.2 à 5.6. Question : On donne Ve = +5V, Rp = 1KΩ et VSeuil = 0,6 V. Déterminer la valeur du courant Id. Baddiar Hanane Devant le jury composé de : Président : Mr. Damou Encadreur : Mlle. download Plainte . - Relever la caractéristique I = f(V) d’une diode à jonction dans le sens directe et inverse. En l'absence de tension (champ) extérieur- diode à l'équilibre Les électrons libres du coté N proches de la jonction se recombinent avec les trous du coté P jusqu'à création au niveau de la jonction d'une zone neutre, appelée zone de charge d'espace Application des diodes en régime de commutation - Conversion du courant alternatif en continu – Le redressement simple et double alternance. La diode à jonction PN. \(V_{be}\) est en module trop grande, il y a claquage de la jonction émetteur-base. Une diode a la propriété de laisser passer le courant dans un sens (diode passante) et de l'arrêter dans l'autre sens (diode bloquée). Elle est couverte d'une plaque qui joue le rôle de cathode. Symbole électrique de la diode : Photo d’une diode type 1N4007 : L’objectif de ce TP est de réaliser par différentes méthodes caractéristique I(V) d’une diode La caractérisation d’un composant électronique commence toujours par une étude statique (ou point de fonctionnement). Ecrêtage d’une tension ; Alimentation continue de petite puissance. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). L’étude développée dans le présent chapitre s’articule autour des axes suivants : • A partir des mesures expérimentales, une caractérisation des principaux paramètres de la jonction pn d’une diode transil commerciale (BZW06P37, ST Microelectronics) est menée. L'ensemble est enfermé dans un boîtier; pour les faibles puissances, celui-ci se réduit à un enrobage de résine. Dans le premier chapitre, on va présenter des généralités sur les cellules photovoltaïques, le principe de fonctionnement, les caractéristiques électriques d'une cellule et caractéristique courant tension. 3. En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe. Chapitre 2 : Jonction PN et diodes. Figure I.9: Caractéristique d'un regroupement en série de … Caractéristique Courant / Tension de la diode – Formule de Shockley. L'ensemble est enfermé dans un boîtier; pour les faibles puissances, celui-ci se réduit à un enrobage de résine. Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC Samia Rachedi, Keireddine Ghaffour To cite this version: Samia Rachedi, Keireddine Ghaffour. Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. Représentation cathode anode VD ID P N anneau de repérage La caractéristique de transfert est définie par la relation I C = f (I B) @ V CE = cte. La figure 14 représente une de ces caractéristiques. Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique Eint créé par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Au LNE-INM une étude préliminaire a permis de mettre en place des moyens de mesure pour déterminer les caractéristiques intrinsèques des LED et mesurer leur intensité lumineuse. Elle est constituée d’une jonction PN (voir l’analyse documentaire sur les SC dans la suite de l’année) ; c’est donc un dipôle dissymétrique : La diode se compose d’une jonction PN, Positif Négatif (figure 1) généralement en germanium ou en silicium. Les diodes à jonction PN. La diode est le semi-conducteur élémentaire constitué par une seule jonction PN. La fonction Ic = f(Ib) caractérise " l'effet transistor " en régime linéaire. publicité. EFFET PHOTOVOLTAIQUE (4) Production paire électron-trou Effet de jonction pn et apparition d’une f.e.m. Cette caractéristique de sortie peut être une variation de résistance, de courant, de tension. Reprenant le principe de la jonction PN de la diode « signal », celle-ci utilise une jonction PIN (I comme Intrinsèque) constituée d’un empilement P+/N–/N+ . Cette d.d.p. La diode joue alors le rôle d'un interrupteur parfait , unidirectionnel en courant et en tension . 6 . La deuxième partie aborde la physique de la jonction PN. En pratique, pour Vce > 1 V, la caractéristique d’entrée dépend peu de Vce. Ce dopage change de type de part et d'autre de la jonction, passant d'un dopage de type p à un dopage de type n.En pratique, il est difficile de faire passer abruptement la densité de dopants (par exemple des donneurs) d'une valeur constante à 0. Jonction PN Jonction P N Jeu de transistors divers : du transistor de commutation au transistor de puissance. Figure III.3: cas d’une jonction PN avec une résistance série (a), et résistance shunt et série . Modélisation d’une diode – Linéarisation par morceaux. LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. La caractéristique courant-tension d une jonction N-P obéit à une équation de la forme [7] : où JoR et nR représentent respectivement les courants Serait-ce se demander aujourd’hui quelle application donner aux ondes gravitationnelles prédites par Einstein en 1916 et observées pour la première fois en 2016? Le profil de dopage est la principale variable sur laquelle on peut jouer pour créer des jonctions différentes. 2) Caractéristique d'une diode à jonction PN Une diode a la propriété de laisser passer le … De la jonction pn •soit une jpn polarisée à une tension ct. v a, traversé par un courant i a. Étude expérimentale d'un pendule de torsion : mesures statique et dynamique d'une constante de torsion. Attention : polarisée en inverse, les DEL ne supportent pas plus de +5V !!! - Déterminer la résistance statique et dynamique. La diode à jonction PN. Sur la figure 7-c, nous voyons que le courant collecteur est composé de la façon suivante : une grande partie du … Ces moyens ont été utilisés pour caractériser une « LED blanche ». E g appelées cellules thermo-photovoltaïques. Fonctionnement – Caractéristiques 3.1. de!fonctionnement). Méthodes d ’études La diode à jonction • Poser une hypothèse sur l’état des diodes. Figure I.1 : Schéma de principe de … Chachou Imane Mlle. En mettant en contact ces deux plaques polarisées, on obtient une jonction PN (Positive-négative). Jonction PN non polarisée : Au voisinage de la jonction, les électrons libres (porteurs majoritaires) de la zone N franchissent la jonction et diffusent vers les trous (porteurs majoritaires) de la zone P laissant en place des ions fixes (positif côté N, négatif côté P). Une diode à semi-conducteur est, électroniquement parlant, une JONCTION PN. On distingue deux types mentaux d’une telle étude sont d’une part l’état de la population d’électrons à l’équilibre ther-modynamique (qui dépend fortement de la structure des niveaux d’énergie), et d’autre part l’évolution de cette population lorsqu’intervient une perturbation. Interprétation et exploitation. Les schémas suivants montrent le principe d’une … Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une jonction de diode. Dans un premier temps (sections 5.2 à 5.5), nous envisagerons une diode à jonction PN idéalisée. ), résulte une barrière de potentiel de hauteur \(V_0\) qui fait apparaître une dissymétrie électrique dans la jonction PN et permet d’expliquer la forme de la caractéristique (courant, tension) d’une jonction. Fig. La caractéristique statique de la jonction est donc de la forme V d = U T.Ln(J d / J s) + R s.I d, R s étant la somme des résistances de la partie N et des connexions. en polarisation directe (0,5 à 0,8 V pour Si) ; c’est la cellule photovoltaïque à jonction PN. 2- Caractéristiques électriques d'un transistor NPN ... (Ib) est celle d'une jonction PN entre la base et l'émetteur. l’étude élémentaire de la diode à vide dans le modèle cartésien qui aboutit à la loi de Child-Langmuir. Équilibre sans générateur . L'expression du courant est donc semblable à celui d'une diode à jonction PN : J d = J s.[ exp(V d / U T) - 1]. Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base (formule [1]). la diode de puissance Principe de la diode Du point de vue de l’électronique de puissance, la diode est un interrupteur non commandable. 1 Rappels sur la physique des composants Introduction Nous allons ici reprendre les notions fondamentales de physique du semiconducteur. On regroupe les caractéristiques statiques du transistor en réseaux de courbes sur quatre quadrants, dont la figure 15 donne un exemple. interne de la diode. La deuxième partie aborde la physique de la jonction PN. •la determination de la caractéristique statique reviens a déterminer la fonction : i a =i a (v a). a) sens direct. MajecSTIC 2005: Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.122-126. Commentaires . Article de bases documentaires | 10 mai 2008 | Réf : D3935; Conversion photovoltaïque : du rayonnement solaire à la cellule. Par conséquent, le besoin grandis- En outre, les cellules en silicium présentent actuellement en laboratoire, un rendement maximal de 25,6% [3], ce qui est très proche de la limite théo-rique maximale pour une cellule simple jonction [4]. • Diode à l’état : Bloqué. 7. Description. Une jonction est la limite de séparation entre un semiconducteur de type N et un semiconducteur de type P. 2.2. E' 20 -- Par une étude complète (non effectuée ici), on peut montrer que la caractéristique théorique courant--tension de la jonction est donnée par i=n{m;--z>--l avec les orientations de la figure 4, et où : > e est la charge élémentaire; > kg est la constante de Boltzmann; > T est la température; > I_? Sous l’action d’un rayonnement solaire, les atomes de la jonction libèrent des charges électriques de signes opposés qui s’accumulent de part et d‘autre de la jonction pour former un générateur électrique. Une diode électroluminescente ou une cellule solaire photovoltaïque est composée d’une jonction p-n, la couche supérieure étant un matériau de type n et la couche inférieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue un traitement de surface pour déposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe d’un matériau de type p. L’électronique, on po… Lacaractérisationd’uncomposant!électronique!commence!toujours!par!une!étude!statique!(oupoint! > 0 est appelé ( courant inverse de saturation >. ces jonctions pn dans les dispositifs photovoltaïques seront ensuite données ; sur le silicium, bien sûr... , en plus de la jonction pn, une cellule photovoltaïque. Une diode a la propriété de laisser passer le courant dans un sens (diode passante) et de l'arrêter dans l'autre sens (diode bloquée). II.2. La caractéristique I (V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode . La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. 1. Nous nous concentrerons sur un composant fabriqué à partir de matériaux semi-‐conducteurs : la diode (ou jonction pn) et qui intervient dans un grand nombre de circuits électroniques et qui a un comportement fortement non linéaire. Boukhalfa Malika Examinateur : Mr. Bouaarfa Examinateur : Mr. Garadi Année Universitaire: 2015-2016. Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude. La figure suivante présente la courbe caractéristique d'une diode Zener. En pratique, pour \(V_{ce}\) > 1 V, la caractéristique d’entrée dépend peu de \(V_{ce}\). La diode peut ainsi commuter de l’état passant à l’état bloquée. De ces translations, nécessaires à l’égalisation des niveaux de Fermi (cf. Figure I.6: Caractéristiques électriques courant-tension, puissance-tension d'une cellule 10. Figure 4 . Dans ce contexte, nous avons proposé ce projet de fin d'étude visant l’optimisation des performances des cellules PV à base d’hétérojonction de Si. Circuit électrique d’une jonction PN idéale sous illumination (a) connecté à une résistance de charge et (b) son circuit équivalent . Caractéristique de transfert. La surface de séparation des régions de type P et N s’appelle une jonction PN. 6. Le fait de créer une telle jonction, fait apparaitre un champ électrique interne. 5.2 – La diode à jonction PN (idéale) Il existe plusieurs types de diodes. Le domaine de longueurs d’ondes des rayonnements recevables dépend du matériau, de la forme, et de la position de la jonction. En mettant en contact ces deux plaques polarisées, on obtient une jonction PN (Positive-négative). La Diode Electro-Luminescente : DEL ( ou LED . La jonction p-n Une jonction p-n correspond à la juxtaposition de deux matériaux identiques ou non de type p et de type n Type n Type p V Une jonction p-n est une diode 4 Le quadrant 1 de cette figure représente la caractéristique de sortie : I C = fonction de V CE pour différentes valeurs de … La zone intermédiaire N– assure une… Détermination d'un moment d'inertie. • Redessiner le schéma étudié correspondant à l’hypothèse en faisant apparaître clairement le courant IF et la tension VF. Si le courant inverse excède cette limite, la diode sera endommagée. production des cellules solaires à base de silicium reste coûteuse et nécessite une impor-tante quantité de matériau. Cette représentation est relative à l’atome de Silicium. Pour chaque valeur de Ib on obtient une caractéristique. Q8 : On demande de représenter l’évolution de la caractéristique de la diode dans le cas d’une cellule photovoltaïque (on précisera en représentant la courbe pour 3 valeurs d’éclairement). Les contemporains de cette époque imaginaient-ils l’éventail d’application dérivées de l’électronique que l’on connait aujourd’hui ? Fonctionnement La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de fonctionnement : • Diode à l’état : Passant. Symbole électrique de la diode : Photo d’une diode type 1N4007 : L’objectif de ce TP est de réaliser par différentes méthodes caractéristique I(V) d’une diode La caractérisation d’un composant électronique commence toujours par une étude statique (ou point de fonctionnement). • Calculer VF et IF Équilibre au niveau de la jonction PN sans champ électrique extérieur. 7. Constitution de la diode à jonction PN Une diode est formée d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le contact relié à la zone P est appelé anode et celui relié à la zone N cathode. •on définira les trois composantes du courants: • courant de diffusion de trous, i p,dif • courant de diffusion d’électrons, i n,dif. EXERCICE N°1 Soit le schéma ci-contre. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I (V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode . Les caractéristiques \(I_b=f(V_{be})\) sont pratiquement celles d’une diode à jonction PN. Figure I.7: Présentation d'une cellule, d'un panneau et d'un champ photovoltaïque 12. matériaux de photodiodes, on utilise des matériaux susceptibles de former une jonction pn, comme Si, Ge, AsGa ou AsGaIn. Jonction PN Fabien PASCAL . Objectif de l’étude ..... 165 2. Le profil de dopage est la principale variable sur laquelle on peut jouer pour créer des jonctions différentes. La première ne résistant pas à plus de 75°, la seconde à 200° environ, détrône ainsi le germanium plus … 3. Caractéristique de … Vbe est en module trop grande, il y a claquage de la jonction émetteur-base. 2- Caractéristiques électriques d'un transistor NPN ... (Ib) est celle d'une jonction PN entre la base et l'émetteur. ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. Modèles statiques de la diode à jonction PN. Nous avons fabriqué une diode à jonction. en anglais) ( La DEL est un dipôle jonction PN (diode ), qui lorsqu’elle est polarisée en direct, émet une lumière de couleur précise ( rouge, vert, jaune, … ). Si on injecte un courant Ib au transistor et que l'on relève le courant Ic en faisant varier Vce, on observe la caractéristique de la figure suivante. Courbe tension-courant d'une diode Zener : Vous pouvez remarquer, sur cette courbe, que la diode Zener, tout comme la diode standard en courant direct, est limitée en courant inverse. La face exposée au rayonnement solaire est la zone dopée N. Un revêtement spécifique est appliqué sur la face supérieure pour améliorer le rendement. Plusieurs modèles de représentation d’un atome ont été établis. Simulation numérique des caractéristiques électriques d'une cellule solaire à double jonctionen (AlGaAs/GaAs) ... Représentation d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique 20 . Revenons sur Terre! Le fonctionnement d'une diode n'est pas simple à appréhender lorsqu'on n'a pas fait d'études à caractère scientifique. Conçue au crayon et au papier à la fin du XIXè siècle, l’existence de l’électrona été prouvée expérimentalement 20 ans plus tard par Joseph J. Thomson en 1897. Et comme nous savons que l’équation d’une diode à jonction PN (l’équation liant le courant I D et la tension V D) est non linéaire, son étude peut sembler complexe voir même compliqué. Tracé d'une courbe de résonance. 2°) LA PENTE DE LA TENSION : La jonction PN présente une certaine CAPACIT ... En réalité le phénomène est plus complexe, car pour une étude détaillée et par ailleurs hypothétique, il conviendrait de considérer la zone de conduction N3 P2 N1 P1, d'où il ressort que dans le quatrième quadrant, la sensibilité au déclenchement est plus réduite que dans les autres cas. Expériences sur les oscillations forcées et la résonance en mécanique. Le cours abordera plus particulièrement l’ensemble des notions permettant d’expliquer la caractéristique électrique d’une jonction PN. Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC. II.18 Image d’une cellule Gräetzel 38 II.19 Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale à jonction PN 38 II.20 Caractéristiques I(V ) à l'obscurité et sous éclairement d'une cellule photovoltaïque 40 II.21 Caractéristiques I(V ) et P(V ) d 'une cellule solaire 42 II.22 Caractéristique courant tension de … La cellule est constituée d'une jonction PN. Les diodes zéner sont caractérisées par leur tension de claquage et par la puissance maximale qu'elles peuvent dissiper. Figure 17.1. LES DIODES II.1. interne de la diode. jonction sur le Wiktionnaire Le mot jonction est employé dans plusieurs domaines : Jonction P - N Jonction tunnel Jonctions intercellulaires Jonction communicante Les jonctions communicantes, aussi appelées jonctions gap ou macula communicans ou nexus ou jonctions lacunaires ou encore jonctions perméables, sont des Les jonctions serrées ou étanches ou … Le fait de créer une telle jonction, fait apparaitre un champ électrique interne. Introduction à la physique du solide et aux matériaux semiconducteurs, permettant de comprendre les mécanismes physiques en jeux dans les composants électroniques. Ce claquage est réversible ou irréversible selon le type de transistor utilisé. Ceci constitue une barrière de … !Dans!le!cas!d’undipôle!il!n’y!a!qu’une!seule!«!entrée/sortie!»,!dans!ce!cas!il!n’y!a! Ce dopage change de type de part et d'autre de la jonction, passant d'un dopage de type p à un dopage de type n. En pratique, il est difficile de faire passer abruptement la densité de dopants (par e… 2) Etude d’une diode de redressement 1.1) Etude Théorique La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue d’ailleurs le plus simple élément. III.1 – Caractéristiques On utilise la zone de claquage inverse de la jonction PN. Transcription . L’étude développée dans le présent chapitre s’articule autour des axes suivants : • A partir des mesures expérimentales, une caractérisation des principaux paramètres de la jonction pn d’une diode transil commerciale (BZW06P37, ST Microelectronics) est menée. Ce claquage est réversible ou irréversible selon le type de transistor utilisé. Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. Définition de la jonction PN II. Figure 2.1 : Exemples d'applications de cellules photovoltaïques à base de plusieurs technologies 23 . Fig. Jeu de diodes : DEL, diodes Zéner, diodes de redressement. II. Cette barrière, appelée zone de déplétion, est formée par recombinaison du surplus de trous et d’électrons des zones p et n remise en contact. Le schéma suivant représente les niveaux d’énergie au voisinage de la jonction : Elle est couverte d'une plaque qui joue le rôle de cathode. Figure III.5: Une manière plus simple et imagée pour comprendre le fonctionnement d'une diode est de réaliser une analogie avec l'hydrodynamique. Suivant l’étude que l’on veut mener, on prendra l’une ou l’autre de ces caractéristiques. EXERCICES D’APPLICATION Remarque : Pour les exercices ci-après, on considèrera que les diodes sont parfaites. • Polarisation dans le sens direct - du générateur est relié à la zone N et le + à la zone P Le champ électrique extérieur s’oppose au champ interne si , un courant important peut traverser la jonction. P N La relation entre le courant IDet la tension VDthéorique de la jonction polarisée est : \u000e\u000f\u0010 \u000e\u0012\u0013 Équilibre au niveau de la jonction. Conducteur ohmique ..... 166 3. 7. Figure 2.2 : Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque 24 . En règle générale, la caractéristique Classique est la plus souvent utilisée pour effectuer des calculs. Rappel théorique : Une diode est un dipôle non linéaire et non symétrique réalisée à base de semi-conducteur par la juxtaposition de deux zones dopées avec des porteurs de signes opposés (PN), on parle alors d’une Jonction. Dédicaces Personne ne peut prétendre avoir acquis les connaissances qui lui ont permis d’arriver au plus haut niveau d’étude, sans le soutien incontestable de sa famille, de tous ceux qui lui ont, de prés ou de loin, prêté un instant d’attention. Une jonction PN est crée par juxtaposition dans un même matériau semi conducteur, de deux zones ; l’une de type P (majoritaire en trous) et l’autre de type N (majoritaire en électrons). La diode PN : caractéristique Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les électrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dopé P (les trous sont majoritaires). dégradation des caractéristiques de la diode irradiée, principalement aux faibles tensions de polarisation directe et en polarisation inverse. Dans l'étude des convertisseurs, on substitue à la caractéristique réelle la caractéristique idéale en négligeant la chute de tension et le courant de fuite circulant en inverse. Constitution de la diode à jonction PN Une diode est formée d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le contact relié à la zone P est appelé anode et celui relié à la zone N cathode. Les cellules photovoltaïques sont fabriquées à partir d’une jonction PN au silicium (Diode). Symbole électrique : 1N4004 Zener Schottky DEL 2. Dans ce contexte, nous avons proposé ce projet de fin d'étude visant l’optimisation des performances des cellules PV à base d’hétérojonction de Si. Au voisinage de la jonction , les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). Nous nous limiterons donc uniquement à l'étude de cette structure. Bobine parfaite ... la partie P et la partie N constitue une jonction appe-lée jonction PN. La fonction Ic = f(Ib) caractérise " l'effet transistor " en régime linéaire. Réseau de caractéristiques Ic = f (Vce) : On remarque que : - lorsque Ib = 0, … L’étude expérimentale du panneau photovoltaïque hybride a été faite, les différentes caractéristiques. La diode en régime dynamique – Linéarisation pour les petits signaux.